Transistor HEMT GNP1070TC-Z

de potenciade conmutaciónpor resistencia

GNP1070TC-Z es un HEMT de GaN de 650 V que ha alcanzado la clase FOM más alta de la industria (Ron*Ciss、Ron*Coss). Es un producto de la serie EcoGaN™ que contribuye a la eficiencia de conversión de potencia y a la reducción de tamaño aprovechando al máximo la baja resistencia ON y la conmutación de alta velocidad. La función de protección ESD está incorporada para un diseño de alta fiabilidad. Además, los encapsulados de gran versatilidad proporcionan una excelente disipación del calor y facilitan el montaje. Información general Este producto ofrece un rendimiento líder en el sector en términos de RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, una cifra de mérito para los HEMT de GaN, que se traduce en una mayor eficiencia en los sistemas de alimentación eléctrica. Al mismo tiempo, un elemento de protección ESD integrado mejora la resistencia a la rotura electrostática hasta 3,5 kV, lo que se traduce en una mayor fiabilidad de la aplicación. Las características de conmutación de alta velocidad de los HEMT de GaN también contribuyen a una mayor miniaturización de los componentes periféricos. Ejemplos de aplicación Ideal para una amplia gama de sistemas de alimentación en equipos industriales y dispositivos de consumo, incluidos servidores y adaptadores de CA