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Módulo de transistor IGBT RT25PI120B9H
de potencia

módulo de transistor IGBT

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Características

Tipo: IGBT
Tecnología: de potencia
Corriente: 10 A, 25 A
Tensión: 1.200 V

Descripción

Características -Tecnología IGBT Trench + Filed Stop -Capacidad de cortocircuito de 10ps -Versât) con coeficiente de temperatura positivo -Caja de baja inductancia -Recuperación inversa rápida y suave antiparalela FWD -Placa base de cobre aislada con tecnología DBC Aplicaciones típicas -Inversor para accionamiento de motor -Aire acondicionado -Sistema de alimentación ininterrumpida

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Catálogos

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