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Módulo de transistor IGBT RTS40FB120T5HB
de potencia

Módulo de transistor IGBT - RTS40FB120T5HB - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de potencia

Módulo de transistor IGBT - RTS40FB120T5HB - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de potencia

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Características

Tipo: IGBT
Tecnología: de potencia
Corriente: 40 A
Tensión: 1.200 V

Descripción

-Circuito Corto Nominal>10jjs -Bajo voltaje de saturación: Vce (sat) = 2.15V @ lc = 40A , Tc=25'C -Pérdida de conmutación baja -100% RBSOA Probado (2*lc>>) -Baja inductancia de dispersión -Libre de plomo, conforme a los requisitos de RoHS Aplicaciones: -Inversores industriales -Aplicaciones de Servo

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