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Transistor IGBT RGW40N120F1A
de potencia

transistor IGBT

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Características

Tipo: IGBT
Tecnología: de potencia
Corriente: 40 A
Tensión: 1.200 V

Descripción

CARACTERÍSTICAS -Alta tensión de ruptura hasta 1200V para una mayor fiabilidad -Tecnología Trench-Stop que ofrece: >Conmutación de alta velocidad >Alta robustez, temperatura estable >VCEsat LENTO >Fácil capacidad de conmutación en paralelo gracias a un coeficiente de temperatura positivo en VcEsat - Capacidad de avalancha mejorada APLICACIÓN -Sistemas de alimentación ininterrumpida -Inversor solar -Soldadura -Aplicaciones PFC

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Catálogos

RGW40N120F1A 1200V /40A Trench Field Stop IGBT

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