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Transistor IGBT RGW40N120T1B
de potencia

transistor IGBT

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Características

Tipo: IGBT
Tecnología: de potencia
Corriente: 40 A
Tensión: 1.200 mV

Descripción

CARACTERÍSTICAS -Alta tensión de ruptura hasta 1200V para una mayor fiabilidad -Tecnología Trench-Stop que ofrece: >Distribución de parámetros muy ajustada >Alta robustez, comportamiento estable a la temperatura >Tiempo de resistencia de cortocircuito - 1 Ops >Alta robustez, temperatura estable >BAJO VcE(SAT) >Fácil capacidad de conmutación en paralelo gracias a un coeficiente de temperatura positivo en VcE(SAT) -Mayor capacidad de avalancha APLICACIÓN - Convertidores de frecuencia - Accionamiento por motor

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Traducción automática (ver el original en inglés)

Catálogos

RGW40N120T1B 1200V /40A Trench Field Stop IGBT

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