- Electricidad - Electrónica
- Componente Electrónico
- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Transistor IGBT RGW50N65F1Ade potencia
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tecnología
- de potencia
- Corriente
50 A
- Tensión
650 V
Descripción
Los IGBTs 650V Trench Field Stop de Rongtech ofrecen bajas pérdidas de conmutación, alta eficiencia energética y alta resistencia a las avalanchas para control de movimiento, aplicaciones solares y máquinas de soldadura.
CARACTERÍSTICAS
-Alta tensión de ruptura hasta 650V para una mayor fiabilidad
-Tecnología Trench-Stop que ofrece:
>Conmutación de alta velocidad
>Alta robustez, temperatura estable
>Tiempo de resistencia de cortocircuito - 5ps
>VCEsat LENTO
>Fácil capacidad de conmutación en paralelo gracias a un coeficiente de temperatura positivo en
VcEsat
Capacidad de avalancha mejorada
APLICACIÓN
-Sistemas de alimentación ininterrumpida
-Inversor
-Convertidores de soldadura
-Aplicaciones PFC
-Convertidor con alta frecuencia de conmutación
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Catálogos
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Discrete IGBT & Module power semi conductors
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