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Módulo de transistor IGBT RTK200HF120B

módulo de transistor IGBT

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Características

Tipo: IGBT
Corriente: 200 A
Tensión: 1.200 V

Descripción

Características: -1200V200A,VCE(sat)(typ.)=2.1V -Pérdidas menores y mayor energía -Excelente resistencia a cortocircuitos -Módulo de medio puente de 62 mm Aplicaciones Generales: Los IGBTs de Rongtech ofrecen pérdidas más bajas y mayor energía para aplicaciones tales como el inversor.drive.motor y otras aplicaciones de conmutación suave.

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Traducción automática (ver el original en inglés)

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