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Módulo de transistor IGBT RTK600SG120B
de conmutación

módulo de transistor IGBT

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Características

Tipo: IGBT
Tecnología: de conmutación
Corriente: 600 A
Tensión: 1.200 V

Descripción

Características: -1200V600A,VCE(sat)(tip.)=2.1V -Pérdidas menores y mayor energía -Excelente resistencia a cortocircuitos -62mm módulo simple Aplicaciones Generales: Los IGBTs de Rongtech ofrecen pérdidas más bajas y mayor energía para aplicaciones tales como el inversor.drive.motor y otras aplicaciones de conmutación suave.

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Traducción automática (ver el original en inglés)

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