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Módulo de transistor IGBT RTU50HF120FA1
de potencia

módulo de transistor IGBT

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Características

Tipo: IGBT
Tecnología: de potencia
Corriente: 50 A
Tensión: 1.200 V

Descripción

Características: -1200V50A,VCE(sat)(typ.)=3.0V -Velocidad de conmutación ultrarrápida -Excelente resistencia a cortocircuitos -Módulo de medio puente de 34 mm Aplicaciones Generales: Los IGBT de Rongtech ofrecen una velocidad de conmutación ultrarrápida para aplicaciones como soldadura, calentamiento inductivo, UPS y otras aplicaciones de alta frecuencia

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RTU50HF120FA1

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