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Módulo de transistor IGBT RTU150HF120FA2
de potencia

Módulo de transistor IGBT - RTU150HF120FA2 - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de potencia

Módulo de transistor IGBT - RTU150HF120FA2 - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de potencia

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Características

Tipo: IGBT
Tecnología: de potencia
Corriente: 150 A
Tensión: 1.200 V

Descripción

Características: - 1200V150A, VCE(sat)(tip. )=3.0V -Velocidad de conmutación ultrarrápida -Excelente resistencia a cortocircuitos -Módulo de medio puente de 62 mm Aplicaciones Generales: Los IGBT de Daxin ofrecen una velocidad de conmutación ultrarrápida para aplicaciones como soldadura, calentamiento inductivo, UPS y otras aplicaciones de alta frecuencia

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Traducción automática (ver el original en inglés)

Catálogos

RTU150HF120FA2

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