Módulo de transistor IGBT RTU600SG120FA2
de potencia

módulo de transistor IGBT
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Características

Tipo
IGBT
Tecnología
de potencia
Corriente

600 A

Tensión

1.200 V

Descripción

Características: -1200V600A,VCE(sat)(tip.)=3.0V -Velocidad de conmutación ultrarrápida -Excelente resistencia a cortocircuitos -62mm módulo simple Aplicaciones Generales: Los IGBT de Rongtech ofrecen una velocidad de conmutación ultrarrápida para aplicaciones como soldadura, calentamiento inductivo, UPS y otras aplicaciones de alta frecuencia

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Catálogos

RTU600SG120FA2
RTU600SG120FA2
7 Páginas
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