MOSFET RVS20N65 series
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Descripción
RVS20N65N65F/S/PN es un MOSFET de potencia de alto voltaje con modo de mejora de canal N producido utilizando la tecnología DP MOS de Rongtech. Consigue bajas pérdidas de conducción y de conmutación. Lleva a los ingenieros de diseño a sus convertidores de potencia con alta eficiencia, alta densidad de potencia y un comportamiento térmico superior. Además, es de aplicación universal, es decir, adecuado para topologías de conmutación duras y blandas.
CARACTERÍSTICAS
♦20A, 650V, RosT,)=0.2i2@VGS=10V
♦New revolucionaria tecnología de alta tensión
♦Ultra bajo costo de puerta de embarque
♦Periodic clasificado como avalancha
♦Extreme valorado en dv/dt
♦High capacidad de corriente de pico
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Mosfet power semi conductors
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