Este MOSFET de Rongtech Industry(ShangHai) Inc. Tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de drenaje a fuente extremadamente baja RDS(on). Por esta razón, este MOSFETs tiene un bajo consumo de energía durante la aplicación que también mejora la fiabilidad y la durabilidad.
Características:
VDS=200V,ID=30A
Rdson≦75mΩ @VGS=10V (Typ:55mΩ)
Área de funcionamiento seguro ampliada
Baja capacitancia de transferencia inversa
prueba de energía de avalancha de un solo pulso al 100%
Aplicación
-Aplicación de conmutación de energía
-Control de motores de corriente continua
- SAI
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