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MOSFET de silicio RM40N10PK

MOSFET de silicio - RM40N10PK - Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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Características

Material
de silicio

Descripción

Este MOSFET de Rongtech Industry(ShangHai) Inc. cuenta con una avanzada tecnología de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de drenaje a fuente RDS(on) extremadamente baja. Por esta razón, este MOSFET tiene un bajo consumo de energía durante la aplicación que también mejora la fiabilidad y la durabilidad. Características: VDS=100V,ID=40A Rdson≦42mΩ @VGS=10V (Typ:32mΩ) Área de funcionamiento seguro ampliada Baja capacitancia de transferencia inversa prueba de energía de avalancha de un solo pulso al 100% Aplicación -Aplicación de conmutación de energía -Control de motores de corriente continua - SAI

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Traducción automática  (ver el original en inglés)

Catálogos

RM40N10PK
RM40N10PK
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