- Productos
- MOSFET de silicio
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
MOSFET de silicio RM60N10PA
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Características
- Material
- de silicio
Descripción
Este MOSFET de Rongtech Industry(ShangHai) Inc. Tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de drenaje a fuente extremadamente baja RDS(on). Por esta razón, este MOSFETs tiene un bajo consumo de energía durante la aplicación que también mejora la fiabilidad y la durabilidad.
Características:
VDS=100V,ID=60A Rdson≦23mΩ @VGS=10V (Typ:18.0mΩ)
Área de funcionamiento seguro ampliada
Baja capacitancia de transferencia inversa
prueba de energía de avalancha de un solo pulso al 100%
Aplicación
-Aplicación de conmutación de energía
-Control de motores de corriente continua
- SAI
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Catálogos
RM60N10PA
5 Páginas
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Mosfet power semi conductors
* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.