MOSFET RTV10180NT(D)
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Descripción
DESCRIPCIÓN
El RVT10180NT/D es un transistor de efecto de campo MOS de potencia de modo de mejora de canal N que se produce utilizando la tecnología RongteLVMOS. El proceso mejorado y la estructura de la célula han sido especialmente diseñados para minimizar la resistencia en el estado y proporcionar un rendimiento de conmutación superior.
Este dispositivo es ampliamente utilizado en los campos de los sistemas de alimentación ininterrumpida y de gestión de energía de los sistemas de inversores.
CARACTERÍSTICAS
♦Low cargo de la puerta
♦Low Crss
♦Fast cambiando
Capacidad de dv/dt
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Mosfet power semi conductors
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