MOSFET RVF4N90F/MJ

DESCRIPCIÓN GENERAL RVF4N90F/MJ es un transistor de efecto de campo MOS de potencia en modo de mejora de canal N que se produce utilizando la tecnología VDMOS de estructura F-Cell™ propiedad de Rongtec. La célula de banda planar mejorada y el terminal de anillo de protección mejorado han sido especialmente diseñados para minimizar la resistencia en estado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en el modo de avalancha y conmutación. Estos dispositivos son ampliamente utilizados en proveedores de energía AC-DC, convertidores DC-DC y controladores de motor H-bridge PWM. CARACTERÍSTICAS ♦Low cargo de la puerta ♦Low Crss ♦Fast cambiando ♦Improved dv/dtcapability