MOSFET RVF3878PN
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Descripción
El RVF3878PN es un transistor de efecto de campo MOS de potencia en modo de mejora de canal N que se produce utilizando la tecnología VDMOS de estructura F-Cell™, propiedad de Rongtec. La célula de banda planar mejorada y el terminal de anillo de guarda mejorado han sido especialmente diseñados para minimizar la resistencia en estado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en el modo de avalancha y conmutación. Estos dispositivos son ampliamente utilizados en proveedores de energía AC-DC, convertidores DC-DC y controladores de motor H-bridge PWM.
CARACTERÍSTICAS
♦Low cargo de la puerta
♦Low Crss
♦Fast cambiando
Capacidad de dv/dt
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Catálogos
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Mosfet power semi conductors
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