Módulo de transistor IGBT RT200TL65A8H-S09
de conmutación

módulo de transistor IGBT
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Características

Tipo
IGBT
Tecnología
de conmutación

Descripción

Características: - IGBT de compuerta con parada de campo - Clasificación de cortocircuito>10ps - - Baja tensión de saturación - Baja pérdida de conmutación - 100% RBSOA probado (2*lc) - Baja inductancia de dispersión - Sin plomo, cumple con los requisitos de RoHS - Solución de montaje con clavijas de señal PressFIT y terminales de alimentación de tornillo Aplicaciones: - - Accionamientos de motores - - Aplicaciones solares - - Sistemas UPS

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