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Módulo de transistor IGBT RT75HF120T1VH-M
de conmutación

módulo de transistor IGBT

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Características

Tipo: IGBT
Tecnología: de conmutación

Descripción

Características: - Parada de campo Trench Gâte IGBT - Resistencia al cortocircuito> 1Ops - Baja tensión de saturación - Baja pérdida de conmutación - 100% RBSOA probado (2*lc) - Baja inductancia de dispersión - Sin plomo, cumple con los requisitos de RoHS Aplicaciones: - Máquina de soldadura " Máquina de corte - Fuente de alimentación de chapado* Calentamiento por inducción - SMPS, UPS

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