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Módulo de transistor IGBT RTS600HF120T9H
de conmutación

módulo de transistor IGBT

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Características

Tipo: IGBT
Tecnología: de conmutación

Descripción

Características: - Capacidad de cortocircuito> 10ps - Baja tensión de saturación: Vce(sat) = 1 -85V @ le = 600A , Tc=25'C - Baja pérdida de conmutación - 100% RBSOA probado - (2*lc) - Baja inductancia de dispersión - Sin plomo, cumple con los requisitos de la directiva RoHS Aplicaciones: - Convertidores de alta potencia - Accionamientos de motor - Sistemas UPS - Aerogeneradores

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Catálogos

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