Módulo de transistor IGBT RTS600HF120T9H
de conmutación

Módulo de transistor IGBT - RTS600HF120T9H - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de conmutación
Módulo de transistor IGBT - RTS600HF120T9H - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de conmutación
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Características

Tipo
IGBT
Tecnología
de conmutación

Descripción

Características: - Capacidad de cortocircuito> 10ps - Baja tensión de saturación: Vce(sat) = 1 -85V @ le = 600A , Tc=25'C - Baja pérdida de conmutación - 100% RBSOA probado - (2*lc) - Baja inductancia de dispersión - Sin plomo, cumple con los requisitos de la directiva RoHS Aplicaciones: - Convertidores de alta potencia - Accionamientos de motor - Sistemas UPS - Aerogeneradores

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Catálogos

* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.