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Módulo de transistor IGBT RT50PI120T6H-M
de conmutación

módulo de transistor IGBT

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Características

Tipo: IGBT
Tecnología: de conmutación

Descripción

Características: - Parada de campo Trench Gâte IGBT - Resistencia al cortocircuito> 1Ops - Baja tensión de saturación - Baja pérdida de conmutación - 100% RBSOA probado - (2x|c) - Baja inductancia de dispersión - Libre de plomo. Cumple con los requisitos RoHS Aplicaciones: - Inversores industriales - Servo Aplicaciones

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