Películas de silicio amorfo intrínseco y dopado.
Procesos
Los gases precursores ionizados depositan películas finas sobre un sustrato.
- Encendido rápido por RF con mínima potencia de reflexión para una deposición uniforme y estable de las películas.
- Multialimentación madurada y estable en tecnología RF compatible incluso con cámaras de proceso de gran tamaño.
- Gas continuo ajustable entre el difusor y el sustrato que proporciona posibilidades de proceso flexibles.
- Alto rendimiento con un coste relativamente bajo, con capacidad de diseño de producto personalizado.
- Diseño modular para facilitar la instalación y el mantenimiento, junto con el más alto protocolo de seguridad desde el diseño hasta la fabricación.
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