Evaporador por bombardeo iónico EFM-H

de proceso

Ángulo de haz: 15 FWHM máximos: (aproximadamente) reborde 15 a 6 para muestrear distancia: 203 milímetros o una profundidad más grande de la inserción: 141.5 milímetros de compatible con opciones de los reguladores de la serie de NGEFM o de EVC: el obturador, entrada del gas, el refrescarse de agua eficaz de bombeo de puente un producto del FOCO El EFM-H es un instrumento ideal para la limpieza y la aguafuerte de las superficies del semiconductor (tales como silicio, GaAs, GE o INP), para la pasivación superficial, para la mejora del crecimiento de la película fina y otros usos similares usando el hidrógeno activo. El EFM-H ofrece una eficacia que se agrieta cerca de 100%, un liso, completamente y el perfil sharpely definido del punto, una presión baja del fondo y una consumición asombrosamente de baja potencia demuestran el funcionamiento excepcional del EFM-H. La energía cinética típica de los átomos del hidrógeno es el meV cerca de 250, y ni se producen los iones ni las moléculas excitadas. Es no sólo un bien diseñado, pero también una de las mejores fuentes caracterizadas del mercado.