Módulo de potencia SiC SEMITOP® E1/E2

Presentación de la última cartera de SiC Complemente el carburo de silicio con paquetes de baja inductancia Alcance una mayor densidad de potencia con la nueva cartera SEMITOP E1/E2 de carburo de silicio. Con inductancias de conmutación de hasta 4nH, los paquetes SEMITOP E1/E2 son la combinación perfecta con la última tecnología de SiC. No sólo están disponibles las disposiciones de pines estándar industriales, sino que SEMIKRON también ofrece una disposición que simplifica el diseño de la placa de circuito impreso y el paralelismo de los módulos. Además de su diseño de encapsulado estándar industrial, el SEMITOP E1/E2 también ofrece una resistencia térmica hasta un 20% menor en comparación con los diseños convencionales. Esta disminución permite que los chips funcionen más fríos, ampliando la vida útil del producto o reduciendo el esfuerzo de diseño de la refrigeración Paquetes industriales estándar SEMITOP E1/E2 Baja inductancia de conmutación, hasta 4nH Fuente Kelvin y sensor de temperatura incluidos en todos los módulos Cartera de 40A hasta 250A basada en MOSFET SiC de 1200V Topologías de medio puente, puente en H, sixpack y TNPC Seguridad en la cadena de suministro gracias a las fuentes múltiples hasta el nivel del chip Alta densidad de potencia gracias a la reducción del 20% de Rth Reducción de la magnetización gracias a la alta frecuencia de conmutación Placa de circuito impreso simplificada con una disposición de pines SEMIKRON adicionalmente optimizada