Ánodo de revestimiento

Ánodos sin minerales conflictivos para garantizar la seguridad - Hemos eliminado los minerales conflictivos de nuestros productos. Nuestros productos utilizan plomo en cantidades extremadamente bajas, lo que nos permite cumplir la Directiva RoHS (Restricción de Sustancias Peligrosas). - Nuestros ánodos están hechos de diminutas partículas de cristal de diámetro uniforme para permitir la galvanoplastia a bajos voltajes, contribuyendo así al ahorro de energía - Utilizamos métodos de fabricación especiales para mantener bajo el contenido de óxido en nuestros ánodos con el fin de suprimir la contaminación del líquido de revestimiento y reducir el coste de la galvanoplastia. Las auditorías verifican que los ánodos SMIC no contienen "minerales conflictivos". Además de cumplir con la Sección 1502 de la Ley Dodd-Frank de Reforma de Wall Street y Protección del Consumidor para la causa libre de minerales de conflicto, nuestros productos contienen una cantidad extremadamente pequeña de plomo. Nos aseguramos de ello mediante la gestión de lotes. El depósito formado por el proceso de chapado contiene una cantidad extremadamente pequeña de plomo (1.000 ppm), tal como estipula la Directiva RoHS de la UE. Esto elimina la necesidad de un proceso separado para comprobar el contenido de plomo. El menor número de óxidos en los límites del grano permite reducir los costes. La diminuta estructura cristalina también impide que se formen demasiados óxidos entre los límites de grano. Cuando el contenido de estaño del ánodo se ioniza para fundirse en el líquido de revestimiento, los óxidos que no son deseables para el depósito de la película de revestimiento se liberan en el líquido de revestimiento. Los ánodos de bajo contenido en óxido de SMIC liberan una cantidad extremadamente pequeña de óxidos para evitar la contaminación del líquido de metalizado, reduciendo así la frecuencia de sustitución del líquido de metalizado y eliminando la necesidad de un proceso de limpieza independiente. Esto permite reducir costes.