Sensor fotoeléctrico detector de reflexión directa EP Series

detector tipo réflexde tipo barrerarectangular

Sensor fotoeléctrico de la serie EP, con certificación CE, tamaño común estándar, puede sustituir a la marca internacional en el precio agradable; La adopción de microchip importado, el tiempo de respuesta rápida. Tamaño estándar: Tamaño estándar universal, que sustituye a muchas marcas de China e internacionales; Incorpora rosca metálica M3 para reforzar el sensor; Se adopta el diseño de chip importado, mayor velocidad de respuesta; Anti-interferencia: Optimizado algoritmo de evitación de interferencias, mayor capacidad en la lucha contra la luz y la interferencia electromagnética; Adopta un diseño anti-interferencias, se pueden instalar hasta dos sensores entre sí; Equipado con protección de conexión inversa de salida para evitar fallos en el cableado del sensor. Sensibilidad ajustable: Tipo de tres hilos, sensibilidad ajustable, conmutable NO/NC; El ajuste del eje óptico es sencillo, y la desviación entre el eje óptico y el eje mecánico se controla dentro de ±2,5°. Parámetros: - Distancia de detección : Barrera: 2m, 6m, 20m Retro-reflexión: 3m 100mm] Reflexión difusa: 100mm,,600mm,300mm,20-200mm - Objeto de detección : Thru-beam: > φ 12mm objeto opaco Retro-reflexión: >φ75mm objeto Reflexión difusa: objeto opaco, semitransparente, transparente - Tiempo de respuesta : <1ms - Ángulo de indicación : 2~10 - Tensión de alimentación : DC 12 ~24V - Consumo de corriente : Thru-beam <35mA - Retro-reflexión: <10mA; Reflexión difusa:<25mA - Señal de salida : Transistor NPN: corriente máxima 80mA; tensión externa 30V DC (salida-0V); tensión residual <2v (cuando corriente 80mA), <1v (cuando corriente 16mA); - Transistor PNP: corriente máxima 80mA; tensión externa 30V DC (salida-+V); tensión residual <2v (cuando corriente 80mA), <1v (cuando corriente 16mA);