Reactor de proceso ESY–10/S

tubularcombinado

Reactor LPE, desarrollado para los requisitos especiales de crecimiento de semiconductores compuestos II-VI. MCT HgCdTe-Epitaxy para aplicaciones de imagen térmica. Equipo LPE para tecnologías II-VI El concepto de reactor LPE ESY-10/S fue desarrollado por SOF Optoelectronics para los requisitos especiales del crecimiento LPE de semiconductores compuestos II-VI como el HgCdTe. Su gran capacidad de 200 cm² por proceso epitaxial, combinada con su exclusivo material de crisol y su diseño para la homogeneización de la masa fundida, son las principales características de este equipo, que está funcionando con éxito en todo el mundo en diversas aplicaciones Además del horno estándar ESY-10/S para uso industrial y de I+D, se pueden realizar soluciones diseñadas por el cliente con muchas opciones. El ESY-10/S puede complementarse perfectamente con un sistema de horno de recocido independiente integrado. Una caja de carga de nitrógeno sellada permite al operario cargar y descargar los tubos del horno bajo una atmósfera protectora Horno LPE - Aspectos técnicos destacados Horno combinado de uno o dos tubos con LPE vertical y tubo de cuarzo de recocido 3 zonas de calentamiento para la epitaxia y 1 zona de calentamiento independiente para la fuente de Hg Fuente de vapor de Hg dentro del tubo del horno Temperaturas hasta 750°C Precisión de la regulación de la temperatura: ± 0,5 °C Adecuado para obleas de hasta 49 cm² Hasta 6 obleas por proceso epitaxial Crecimiento perfecto de las capas Fácil eliminación de la masa fundida sólida después del proceso Protección de la superficie de la oblea antes y después del crecimiento epitaxial Procesamiento totalmente automático y controlado por ordenador Registro de datos de todos los parámetros del proceso Caja de guantes de carga cerrada con atmósfera de N2 El principio de funcionamiento del equipo LPE es la tecnología de epitaxia en fase líquida (LPE) que utiliza una técnica de inmersión en rotación