Transistor IGBT STGP8NC60KD
de conmutación

Transistor IGBT - STGP8NC60KD - STMicroelectronics - de conmutación
Transistor IGBT - STGP8NC60KD - STMicroelectronics - de conmutación
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Características

Tipo
IGBT
Tecnología
de conmutación
Corriente

8 A

Tensión

600 V

Descripción

Este IGBT utiliza el avanzado proceso PowerMESH™ que da como resultado una excelente relación entre el rendimiento de conmutación y el bajo comportamiento en estado encendido. Todas las características Menor caída de tensión de conexión (VCE(sat)) Diodo antiparalelo de recuperación ultrarrápida muy suave Menor relación CRES / CIES (sin susceptibilidad a la conducción cruzada) Tiempo de resistencia al cortocircuito 10µs

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MWC 2025
MWC 2025

3-06 mar. 2025 Barcelona (España) Hall 7 - Stand 7A61

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