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Transistor IGBT STGW30NC60KDde conmutación
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tecnología
- de conmutación
- Corriente
30 A
- Tensión
600 V
Descripción
Este IGBT utiliza el avanzado proceso PowerMESH, lo que da como resultado una excelente relación entre el rendimiento de conmutación y el bajo comportamiento en estado encendido.
Todas las características
Baja caída de tensión de conexión (VCE(sat))
Tiempo de resistencia al cortocircuito 10 μs
Baja relación Cres / Cies (sin susceptibilidad a la conducción cruzada)
IGBT coempaquetado con diodo de giro libre ultrarrápido
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Catálogos
STGW30NC60KD
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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.