Amplificador para láser

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Litografía UVE como impulso de la era digital La litografía UVE gana la carrera de los métodos de fabricación para los microchips del futuro. Durante muchos años, la industria de los semiconductores ha buscado un procedimiento rentable y apto para la producción en masa, con el que se pudieran crear estructuras cada vez más pequeñas en obleas de silicio mediante la exposición a la luz. ASML, Zeiss y TRUMPF han colaborado para desarrollar una tecnología que les permitiese conseguir una luz ultravioleta extrema (UVE) con una longitud de onda de 13,5 nanómetros para su aplicación industrial, en una cámara de vacío, un generador de gotas dispara 50 000 pequeñas gotas de estaño por segundo. Cada una de estas gotas se ve interceptada por uno de los 50 000 impulsos de láser y los convierten en plasma. De este modo se genera luz UVE, que se dirige a la oblea que se ha de exponer mediante espejos. El impulso de láser para la emisión de plasma procede de un dispositivo láser de CO2 desarrollado por TRUMPF y con la capacidad de emitir impulsos, el amplificador laser de TRUMPF. De pocos vatios a 40 kilovatios El amplificador láser de TRUMPF potencia un impulso de láser de forma secuencial en más de 10 000 veces. Eficiente y seguro para el proceso Mediante el envío de un preimpulso y un impulso principal, se puede transmitir la potencia completa del amplificador de láser a las gotas de estaño. Nueva aplicación para el láser de CO2 La base del dispositivo láser de alto rendimiento es un láser de CO2 en modo continuo. De este modo, TRUMPF logra una nueva aplicación para esta tecnología.