Transformador de aislamiento T60403-Fxxx series
secopara IGBTpara disparo de compuerta MOSFET

transformador de aislamiento
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Características

Función
de aislamiento
Construcción
seco
Aplicaciones
para IGBT, para disparo de compuerta MOSFET
Otras características
compacto, de baja pérdida
Potencia eléctrica

0 kVA
(0 hp)

Tensión primaria

0 V

Tensión secundaria

0 V

Descripción

TRANSFORMADORES DE ACCIONAMIENTOS PARA IGBT - TENSIÓN DE AISLAMIENTO 600 Vrms A 2000 Vrms En los últimos años, la electrónica de potencia ha tenido una influencia decisiva en la tecnología de generación, distribución y conversión de energía eléctrica. Los semiconductores modernos permiten controlar y convertir la energía eléctrica de forma rápida y segura con bajas pérdidas. Los principales factores que contribuyen al progreso en este campo son los semiconductores de potencia de desconexión, como los IGBT (transistores bipolares de puerta aislada), los MOSFET (transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico) y los GTO (tiristores de desconexión de puerta). Los productos de VAC contribuyen significativamente a mantener la eficiencia y la seguridad en la conmutación de semiconductores y en la transmisión de potencia de baja pérdida. Frecuencias de conmutación más altas, tensiones de bloqueo más altas y potencia de conmutación influyen en la forma en que se activa y controla un semiconductor para permitir una conmutación segura y sencilla. Los transformadores de accionamiento garantizan la separación galvánica al tiempo que suministran la señal de conmutación y/o la energía para el circuito de accionamiento del semiconductor.

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