Fuente de haz de electrones UNI-Bulb®

Fuente de plasma RF de bombillas UNI para oxígeno, nitrógeno e hidrógeno Optimizar la producción de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos Obtenga las condiciones óptimas para el crecimiento de GaN en materiales electrónicos y optoelectrónicos, además de una estabilidad y reproducibilidad del plasma sin igual, gracias a la fuente de plasma RF Uni-Bulbular de Veeco. El tubo de entrada de gas PBN de una sola pieza y la bombilla de plasma se combinan con un serpentín coaxial RF doble para un acoplamiento de potencia y una eliminación de calor excelentes. Hay varias opciones de diseño, incluyendo placas de apertura personalizadas, disponibles para mejorar aún más el rendimiento de GaNenhance. Descripción Un gas plasma es una herramienta eficaz para la conversión de gases de fuente altamente estables como N2 o H2 en especies atómicas y moleculares más activas adecuadas para el crecimiento de MBE. La bombilla UNI de Veeco cuenta con un tubo de entrada de gas PBN de una sola pieza patentado y una bombilla de plasma para eliminar las fugas de gas alrededor de la bombilla. El plasma resultante es altamente estable y reproducible, lo que permite muchas horas de funcionamiento sin necesidad de reajustar la fuente. Las placas de apertura intercambiables están disponibles en configuraciones de conductividad de gas variable para el crecimiento de GaN, materiales mixtos de As/N, dopaje de nitrógeno, limpieza de hidrógeno y crecimiento asistido por hidrógeno. El diseño del orificio de salida minimiza el contenido de iones en el haz, mientras que las especies neutras activas (atómicas y moleculares) están dirigidas hacia el sustrato. Las placas de apertura de alta uniformidad personalizadas están disponibles para la mayoría de los sistemas MBE comerciales, lo que permite una uniformidad típica de ±1%.