Tecnología de reactor de una sola oblea para permitir dispositivos de potencia eficientes basados en GaN
El sistema MOCVD de Veeco Propel™ Power GaN está diseñado específicamente para la industria de la electrónica de potencia. Con una plataforma de reactor de una sola oblea, capaz de procesar obleas de seis y ocho pulgadas, el sistema deposita películas GaN de alta calidad para la producción de dispositivos electrónicos de potencia altamente eficientes. El reactor de una sola oblea se basa en el diseño líder de TurboDisc® de Veeco con tecnología de vanguardia, incluidas las nuevas tecnologías IsoFlange™ y SymmHeat™ que proporcionan un flujo laminar homogéneo y un perfil de temperatura uniforme en toda la oblea. Los clientes pueden transferir fácilmente los procesos de los sistemas Veeco K465i™ y MaxBright™ a la plataforma Propel Power GaN MOCVD.
Excelente uniformidad de la película, rendimiento y rendimiento del dispositivo
Presenta largas campañas y bajos defectos de partículas para un rendimiento y una flexibilidad excepcionales
Los rápidos ciclos de aprendizaje aceleran la transición de la I+D de GaN-on-Si a la fabricación de alto volumen
Diseño modular para facilitar la configuración, operación y mantenimiento
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