Sistema MBE GENxcel R&D

Sistema MBE de I+D de GENxcel Capas epitaxiales de alta calidad en sustratos de hasta 4" de diámetro El nuevo y premiado sistema GENxcel™ amplía el GENxplor™, el sistema MBE más vendido desde su introducción en agosto de 2013, con un crecimiento epitaxial de alta calidad en sustratos de 4" en comparación con las capacidades de 3" del sistema GENxplor. El sistema GENxcel cuenta con un sistema de transferencia manual fácil de usar, 12 puertos de origen y una electrónica moderna totalmente integrada en un único diseño de bastidor para lograr la máxima eficiencia en el laboratorio Capas epitaxiales de alta calidad en sustratos de hasta 4" de diámetro La arquitectura única de un solo bastidor mejora la facilidad de uso, proporciona un acceso cómodo a las fuentes y una mayor facilidad de mantenimiento El diseño eficiente y todo en uno combina el sistema manual con la electrónica de a bordo para ahorrar un 40 por ciento de espacio en el laboratorio en comparación con otros sistemas MBE Ideal para la investigación de vanguardia en una amplia variedad de materiales, incluyendo GaAs, nitruros y óxidos El software Molly® integra la escritura fácil de recetas, el control de crecimiento automatizado y el registro de datos siempre activo Calentador de sustrato opcional Nova™ de ultra alta temperatura para un rendimiento comprobado a 1850° Escalabilidad directa a los sistemas GEN20™, GEN200® y GEN2000® MBE