Detector óptico PV-4TE-8

con semiconductordinámicoIR

3.3 - 9.0 µm, cuatro etapas de enfriamiento termoeléctrico PV-4TE-8 es un detector fotovoltaico IR de cuatro etapas, enfriado termoeléctricamente, basado en una sofisticada heteroestructura de HgCdTe para obtener el mejor rendimiento y estabilidad. El dispositivo está optimizado para el máximo rendimiento en λopt = 8.0 μm. La longitud de onda de corte puede ser optimizada bajo pedido. El sesgo inverso Vb puede aumentar significativamente la velocidad de respuesta y el rango dinámico. También da como resultado un mejor rendimiento en las altas frecuencias, pero el ruido 1/f que aparece en los dispositivos sesgados puede reducir el rendimiento en las bajas frecuencias. La ventana con revestimiento antirreflectante de seleniuro de zinc (wZnSeAR) con cuña de 3º evita los efectos de interferencias no deseadas. Características: - Alto rendimiento en el rango espectral de 3,3 - 9,0 µm - Enfriado termoeléctrico de cuatro etapas - No se requiere un sesgo - No hay ruido 1/f Parámetro: PV-4TE-8 Material: MCT Escriba: Fotovoltaica Inmersión: No inmersión Refrigeración: Cuatro etapas Longitud de onda/λopt/µm: 8 Paquete: TO8, TO66 Ventana: Al2O3 encajado Detectividad/ D∗/ m⋅Hz1/2⋅W-1: ≥4,0x108 Constante de tiempo/ τ /ns: ≤45