Detector fotoeléctrico PVMI-8
con semiconductordinámicode infrarrojos

detector fotoeléctrico
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Características

Tecnología
fotoeléctrico, con semiconductor, dinámico, de infrarrojos

Descripción

2.0 - 8,5 µm, temperatura ambiente, unión múltiple, inmersión óptica PVMI-8 es un detector de múltiples uniones fotovoltaicas IR no refrigerado basado en una sofisticada heteroestructura de HgCdTe para obtener el mejor rendimiento y estabilidad, sumergido ópticamente para mejorar los parámetros del dispositivo. El detector está optimizado para el máximo rendimiento en λopt = 8.0 μm. Es especialmente útil como detector de gran área activa que opera dentro de un rango espectral de 2,0 a 8,5 µm. Aplicaciones: - Rango espectral de 2.0 a 8.5 µm - Funcionamiento a temperatura ambiente - Aplicación de la tecnología de microlentes de hiperhemiemersión - No se requiere un sesgo - No hay ruido 1/f - Sensible a la polarización de la radiación IR Parámetro: PVMI-8 Material: MCT Escriba: Unión múltiple Inmersión: Inmersión Refrigeración: No Longitud de onda/ λopt/ µm: 8 Paquete: BNC, TO39 Ventana: No Detectividad/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1: ≥3,0x108 Constante de tiempo/ τ/ ns: ≤4

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