1.0 - 10,2 µm, cuatro etapas de enfriamiento termoeléctrico, sumergido ópticamente
El PCI-4TE-9 es un detector fotoconductor IR de cuatro etapas, enfriado termoeléctricamente, basado en una sofisticada heteroestructura de HgCdTe para obtener el mejor rendimiento y estabilidad, sumergido ópticamente para mejorar los parámetros del dispositivo. El detector está optimizado para el máximo rendimiento en λopt = 9.0 μm. La longitud de onda de corte está limitada por la transmitancia de GaAs (~0,9 µm). El dispositivo debe funcionar en el modo óptimo de lectura de voltaje y corriente de polarización. El rendimiento a bajas frecuencias se reduce debido al ruido 1/f. La ventana de 3° con recubrimiento antirreflejo de seleniuro de zinc (wZnSeAR) evita los efectos de interferencia no deseados.
Características:
- Alto rendimiento en el rango espectral de 1.0 - 10.2 µm
- Enfriado termoeléctrico de cuatro etapas
- Aplicación de la tecnología de microlentes de hiperhemiemersión
- Larga vida y MTBF
- Estabilidad y fiabilidad
- 1/f ruido
Parámetro: PCI-4TE-9
Material: MCT
Escriba: Fotoconductor
Inmersión: Inmersión
Refrigeración: Cuatro etapas
Longitud de onda/ λopt/ µm: 9
Paquete: TO8, TO66
Ventana: ZnSe acuñado recubierto de AR
Detectividad/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1: ≥1,0x1010
Constante de tiempo/ τ/ ns: ≤80
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