Detector de índice de refracción PCI-4TE-10,6

ópticocon semiconductordinámico

1.0 - 12,0 µm, cuatro etapas de enfriamiento termoeléctrico, sumergido ópticamente El PCI-4TE-10.6 es un detector fotoconductor IR de cuatro etapas, enfriado termoeléctricamente, basado en una sofisticada heteroestructura de HgCdTe para obtener el mejor rendimiento y estabilidad, sumergido ópticamente para mejorar los parámetros del dispositivo. El detector está optimizado para el máximo rendimiento en λopt = 10.6 μm. La longitud de onda de corte está limitada por la transmitancia de GaAs (~0,9 µm). El dispositivo debe funcionar en el modo óptimo de lectura de voltaje y corriente de polarización. El rendimiento a bajas frecuencias se reduce debido al ruido 1/f. La ventana de 3° con recubrimiento antirreflejo de seleniuro de zinc (wZnSeAR) evita los efectos de interferencia no deseados. Características: - Alto rendimiento en el rango espectral de 1.0 - 12.0 µm - Enfriado termoeléctrico de cuatro etapas - Aplicación de la tecnología de microlentes de hiperhemiemersión - Larga vida y MTBF - Estabilidad y fiabilidad - 1/f ruido Parámetro: PCI-4TE-10,6 Material: MCT Escriba: Fotoconductor Inmersión: Inmersión Refrigeración: Cuatro etapas Longitud de onda/ λopt/ µm: 10,6 Paquete: TO8, TO66 Ventana: ZnSe acuñado recubierto de AR Detectividad/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1: ≥3,0x109 Constante de tiempo/ τ/ ns: ≤30