Detector con semiconductor PVMI-3TE-10,6
dinámicoIRcompacto

detector con semiconductor
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Características

Tecnología
con semiconductor, dinámico, IR
Otras características
compacto, robusto, con enfriamiento termoeléctrico

Descripción

2.0 - 13,0 µm, tres etapas de enfriamiento termoeléctrico, inmersión óptica, unión múltiple PVMI-3TE-8 es un detector de múltiples uniones fotovoltaicas IR de tres etapas, enfriado termoeléctricamente, basado en una sofisticada heteroestructura de HgCdTe para obtener el mejor rendimiento y estabilidad, sumergido ópticamente para mejorar los parámetros del dispositivo. El detector está optimizado para el máximo rendimiento en λopt = 10.6.0 μm. Es especialmente útil como detector de gran área activa que opera dentro de un rango espectral de 2,0 a 13,0 µm. La ventana de 3° con recubrimiento antirreflejo de seleniuro de zinc (wZnSeAR) evita los efectos de interferencia no deseados. Aplicaciones: - Rango espectral de 2.0 a 13.0 µm - Refrigeración termoeléctrica de tres etapas - Aplicación de la tecnología de microlentes de hiperhemiemersión - No se requiere un sesgo - No hay ruido 1/f - Sensible a la polarización de la radiación IR Parámetro: PVMI-3TE-10,6 Material: MCT Escriba: Unión múltiple Inmersión: Inmersión Refrigeración: Tres etapas Longitud de onda/ λopt/ µm: 10,6 Paquete: TO8, TO66 Ventana: ZnSe acuñado recubierto de AR Detectividad/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1: ≥1,5x109 Constante de tiempo/ τ/ ns: ≤3

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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.