Sistema de prueba de factor de capacidad

para semiconductoresMOSFETmodular

Sistema de ensayo de las características C-V de los dispositivos semiconductores de potencia Las mediciones de capacitancia-tensión (C-V) se utilizan ampliamente para medir parámetros de semiconductores, especialmente estructuras MOS CAP y MOSFET. La capacitancia de la estructura MOS (metal-óxido-semiconductor) es una función de la tensión aplicada. La curva de la capacitancia del MOS que cambia con la tensión aplicada se denomina curva C-V (denominada característica C-V). La prueba de la curva C-V puede determinar fácilmente el espesor de la capa de dióxido de silicio dox , la concentración de dopaje del sustrato N, la densidad de superficie de carga móvil Q1 en la capa de óxido y la densidad de superficie de carga fija Qfc y otros parámetros. -Amplia gama de frecuencias: la gama de frecuencias es de 10 Hz~1 MHz, y los puntos de frecuencia continua son ajustables de frecuencia continua son ajustables; -Alta precisión y amplio rango: proporciona un rango de polarización de 0V a 3500V, con una precisión de 0.1%; -Pruebas de CV integradas: Software de prueba de CV automatizado incorporado, que incluye múltiples funciones de prueba -como C-V (capacitancia-voltaje), C-T (capacitancia-tiempo), C-F (capacitancia-frecuencia), etc; -Compatible con pruebas IV: admite pruebas de características de corriente de ruptura y de fuga pruebas; -Dibujo de curvas en tiempo real: La interfaz del software muestra directamente los datos de prueba y las curvas para una fácil visualización; -Fuerte escalabilidad: El sistema adopta un diseño modular y se puede adaptar con flexibilidad según según las necesidades;