Sensor de presión diferencial BW-MD3
de siliciopara la industria petroquímicapara la industria aeronáutica

sensor de presión diferencial
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Características

Tipo
diferencial
Tecnología
de silicio
Aplicaciones
para la industria petroquímica, para la industria aeronáutica, para la industria petrolera y del gas, para la industria química
Otras características
MEMS
Rango de presión

Máx.: 40.000 Pa
(5,8 psi)

Mín.: -40.000 Pa
(-5,8 psi)

Descripción

Los chips sensores de silicio monocristalino de alta estabilidad de la serie BW-MD de Beiwei se han introducido en lotes en el mercado internacional, y se han utilizado ampliamente en los sectores petroquímico, metalúrgico y de energía eléctrica, automatización industrial, aeroespacial, Internet de las Cosas, etc -Material de silicio monocristalino de alta pureza Los chips de silicio monocristalino de la serie BW-MD están fabricados con silicio monocristalino de pureza ultra alta, que es superior a los materiales de silicio compuesto y de difusión utilizados habitualmente en el mercado. Con ello, Beiwei también rompe el esquema de que este material sólo está monopolizado por unas pocas empresas de sensores excelentes del mundo. -Diseño MEMS de doble haz El chip sensor de silicio monocristalino de la serie BW-MD de Beiwei adopta el principio clásico del puente de Wheatstone, pero adopta de forma innovadora puentes de Wheatstone dobles en el diseño del puente para realizar un "doble haz" en el puente. El circuito de puente de doble haz, con características de temperatura complementarias de la resistencia del puente, consigue la autocompensación cuando el circuito del puente sufre cambios de autocalentamiento o interferencias de ruido, lo que mejora significativamente la capacidad antiinterferencias y la estabilidad a largo plazo del chip. -Estructura MEMS suspendida Los chips sensores de silicio monocristalino de la serie BW-MD están hechos totalmente de silicio monocristalino, la capa de detección y la capa base están unidas con silicio-silicio para mejorar las características hidrostáticas del chip (mucho mejor que la unión tradicional de silicio-vidrio) y, al mismo tiempo, se añade una capa de suspensión de material inerte de μm de grosor entre la capa de detección y la capa base para reducir en gran medida el impacto de la tensión y mejorar las características de aislamiento.

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