Sistema de medición para oblea
de efecto Kerr (MOKE)ópticopor láser

Sistema de medición para oblea - Xiamen Dexing Magnet Tech. Co., Ltd. - de efecto Kerr (MOKE) / óptico / por láser
Sistema de medición para oblea - Xiamen Dexing Magnet Tech. Co., Ltd. - de efecto Kerr (MOKE) / óptico / por láser
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Características

Magnitud física
de efecto Kerr (MOKE)
Tecnología
óptico, por láser, magnético
Modo de funcionamiento
automático
Objeto de la medición
para oblea
Configuración
vertical
Otras características
sin contacto

Descripción

Utilizando el efecto Kerr magneto-óptico poloidal (MOKE), las propiedades magnéticas de las pilas de obleas se detectan rápida y globalmente. La medición sin contacto evita el daño a la oblea mediante la caracterización magnética tradicional, y se puede aplicar a la detección de muestras antes y después del modelado. Wafer Moke puede proporcionar hasta 2,5 T campo magnético vertical/1,3 T campo magnético en el plano, y el campo magnético fuerte puede inducir el volteo de la capa libre, capa de referencia y capa anclada de la pila de película de memoria de acceso aleatorio magnética anisotrópica vertical (MRAM); Sensibilidad de detección Kerr ultra alta, que puede caracterizar los sutiles cambios magnéticos de diferentes capas de película al mismo tiempo. La combinación de la detección láser punto por punto con imágenes de escaneo puede crear rápidamente un mapa global de las propiedades magnéticas de las obleas, lo que ayuda a la optimización del proceso y al control del rendimiento. Indicadores de rendimiento y ventajas Tamaño de muestra: apoya la prueba de la oblea de hasta 12 pulgadas y es compatible con versiones anteriores, apoya la prueba del fragmento; ▹Campo magnético: el campo magnético vertical máximo es mejor que ± 2,5 T, y la resolución del campo magnético es 1 μT; Sensibilidad de detección magnética: el grado de detección del ángulo de rotación de Kerr es mejor que 0,3 mgrados (RMS), adecuado para la caracterización magnética de pilas de películas multicapa; Exactitud de posicionamiento de repetición de muestra: mejor que ± 1 μm, fluctuación estática ≤ ± 0,25 μm.

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