Patente de utilidad US7.362.196 B2 ETC
UE, China, Taiwán,Corea patentado -
● Rango de frecuencias: DC a 3GHz, DC a 6GHz,DC a 12.4GHz,DC a 18GHz
● Potencia nominal: 100mW,200mW,2W
● Impedancia: 50Ω o 75Ω
● Temperatura de funcionamiento: -55℃ a +150℃
● Excelentes acterísticas de compensación de atenuación: amplio rango variable de atenuación y baja VSWR de temperatura de -55℃a +150℃, especialmente en la frecuencia de 1GHz, 3GHz y 6GHz.
●10 atenuaciones de 1dB a 10dB y 7 acterísticas de pendiente de variación de N3 a N9. Además, los servicios personalizados están disponibles para p / n con mayores pendientes como N10 o N11.
● Adopción de recorte láser 100%, alta precisión de atenuación.
● Alta fiabilidad. Adoptando la tecnología avanzada de película gruesa a través de la cocción a la alta temperatura de 850 ℃.
● Cero distorsión, y no hay cambios de fase y retardo de tiempo causado por la variación de la temperatura.
● Compensación de temperatura y aislamiento de RF, que son más adecuados para los amplificadores de potencia de varias etapas.
● No existe IP3 adicional y adecuado para el amplificador de potencia lineal.
● Bajo costo y pequeño tamaño. Se puede diseñar fácilmente en el amplificador de RFpower para reemplazar el circuito de bucle AGC, que es fácil para la regeneración del circuito de RF
●SMA y tipo N disponible. El atenuador connectorized es fácil para la conexión y bueno para la mejora de acteristics de la temperatura del sistema.
● Amplificador de potencia
● Amplificador de bajo ruido
● Bloques de ganancia
● Módulo transceptor óptico
● Amplificadores MMIC
● WLAN (2,4GHz o 5,8GHz)
● WiMAX
● UWB
● Mezcladores
● Divisores de potencia
● Comunicación por satélite
● Acopladores direccionales
● Radiodifusión (TV y radio)
● Radar
● Sustrato: Alúmina (Al2O3)
● Material resistivo: Película gruesa
● Material de los terminales:
---