Transistores MOSFET Infineon

Corriente: -16,4 A
Tensión: -60 V

... MOSFET de canal P en nivel normal y lógico, que reducen la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia OptiMOS™ MOSFETs de canal P 60V en encapsulado DPAK representa la nueva tecnología dirigida a ...

Corriente: 40 A
Tensión: 40 V

... MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 que combinan el mejor RDS(on) de su clase con un rendimiento de conmutación superior La familia OptiMOS™ 6 power MOSFET 40V está optimizada para una gran variedad de aplicaciones ...

Corriente: 61 A
Tensión: 600 V

... entornos de fabricación al impedir que se produzcan fallos ESD El RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante como ...

Corriente: 61 A
Tensión: 600 V

... entornos de fabricación al impedir que se produzcan fallos ESD El RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante como ...

Corriente: 61 A
Tensión: 600 V

... entornos de fabricación al impedir que se produzcan fallos ESD El RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante como ...

Corriente: 20 A
Tensión: 600 V

... entornos de fabricación al impedir que se produzcan fallos ESD El RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante como ...

Corriente: 18 A
Tensión: 600 V

... entornos de fabricación al impedir que se produzcan fallos ESD El RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante como ...

Corriente: 9 A
Tensión: 600 V

... entornos de fabricación al impedir que se produzcan fallos ESD El RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante como ...

Corriente: 101 A
Tensión: 600 V

... entornos de fabricación al impedir que se produzcan fallos ESD El RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante como ...

Corriente: 101 A
Tensión: 600 V

... entornos de fabricación al impedir que se produzcan fallos ESD El RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante como ...