Transistores de potencia Infineon

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transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPD900P06NM

Corriente: -16,4 A
Tensión: -60 V

... MOSFET de canal P en nivel normal y lógico, que reducen la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia OptiMOS™ MOSFETs de canal P 60V en encapsulado DPAK representa la nueva tecnología dirigida a ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
BSZ063N04LS6

Corriente: 40 A
Tensión: 40 V

... MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 que combinan el mejor RDS(on) de su clase con un rendimiento de conmutación superior La familia OptiMOS™ 6 power MOSFET 40V está optimizada para una gran variedad de aplicaciones y circuitos, ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPB60R045P7

Corriente: 61 A
Tensión: 600 V

... conmutación dura y resonante como PFC y LLC Excelente robustez durante la conmutación dura del diodo de cuerpo que se observa en la topología LLC Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y potencias ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPP60R160P7

Corriente: 20 A
Tensión: 600 V

... conmutación dura y resonante como PFC y LLC Excelente robustez durante la conmutación dura del diodo de cuerpo que se observa en la topología LLC Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y potencias ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPAN60R180P7S

Corriente: 18 A
Tensión: 600 V

... conmutación dura y resonante como PFC y LLC Excelente robustez durante la conmutación dura del diodo de cuerpo que se observa en la topología LLC Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y potencias ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPAN60R360P7S

Corriente: 9 A
Tensión: 600 V

... conmutación dura y resonante como PFC y LLC Excelente robustez durante la conmutación dura del diodo de cuerpo que se observa en la topología LLC Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y potencias ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPZA60R024P7

Corriente: 101 A
Tensión: 600 V

... conmutación dura y resonante como PFC y LLC Excelente robustez durante la conmutación dura del diodo de cuerpo que se observa en la topología LLC Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y potencias ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPW60R024P7

Corriente: 101 A
Tensión: 600 V

... conmutación dura y resonante como PFC y LLC Excelente robustez durante la conmutación dura del diodo de cuerpo que se observa en la topología LLC Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y potencias ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPAN60R600P7S

Corriente: 6 A
Tensión: 600 V

... conmutación dura y resonante como PFC y LLC Excelente robustez durante la conmutación dura del diodo de cuerpo que se observa en la topología LLC Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y potencias ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPAN60R280P7S

Corriente: 12 A
Tensión: 600 V

... conmutación dura y resonante como PFC y LLC Excelente robustez durante la conmutación dura del diodo de cuerpo que se observa en la topología LLC Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y potencias ...

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